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  1. 50 工学研究科
  2. 5006 電気電子工学専攻
  3. 学術雑誌論文

Nanosilicon dot arrays with a bit pitch and a track pitch of 25 nm formed by electron-beam drawing and reactive ion etching for 1 Tbit/in.2 storage

http://hdl.handle.net/10087/2946
http://hdl.handle.net/10087/2946
9b0d9c89-d282-4cac-8591-51a0beee5872
名前 / ファイル ライセンス アクション
ApplPhysLett_89_223131.pdf ApplPhysLett_89_223131.pdf (322.0 kB)
Item type 学術雑誌論文 / Journal Article(1)
公開日 2008-02-29
タイトル
タイトル Nanosilicon dot arrays with a bit pitch and a track pitch of 25 nm formed by electron-beam drawing and reactive ion etching for 1 Tbit/in.2 storage
言語
言語 eng
資源タイプ
資源タイプ識別子 http://purl.org/coar/resource_type/c_6501
資源タイプ journal article
著者 Hosaka, Sumio

× Hosaka, Sumio

8784

Hosaka, Sumio

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Sano, Hirotaka

× Sano, Hirotaka

8785

Sano, Hirotaka

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Shirai, Masumi

× Shirai, Masumi

8786

Shirai, Masumi

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Sone, Hayato

× Sone, Hayato

8787

Sone, Hayato

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抄録
内容記述タイプ Abstract
内容記述 The formation of very fine Si dots with a bit pitch and a track pitch of less than 25 nm using\nelectron-beam (EB) lithography on ZEP520 and calixarene EB resists and CF4 reactive ion etching\nhas been demonstrated. The experimental results indicate that the calixarene resist is very suitable\nfor forming an ultrahigh-packed bit array pattern of Si dots. This result promises to open the way\ntoward 1 Tbit/in.2 storage using patterned media with a dot size of <15 nm.
書誌情報 Applied Physics Letters

巻 89, 号 23, p. 223131-1-223131-3, 発行日 2006-11-27
ISSN
収録物識別子タイプ ISSN
収録物識別子 0003-6951
DOI
関連タイプ isIdenticalTo
識別子タイプ DOI
関連識別子 info:doi/10.1063/1.2400102
権利
権利情報 (C)2006 American Institute of Physics
フォーマット
内容記述タイプ Other
内容記述 application/pdf
著者版フラグ
出版タイプ VoR
出版タイプResource http://purl.org/coar/version/c_970fb48d4fbd8a85
出版者
出版者 American Institute of Physics
資源タイプ
内容記述タイプ Other
内容記述 Journal Article
異版である
関連タイプ isVersionOf
識別子タイプ URI
関連識別子 http://apl.aip.org/
更新日
日付 2017-03-27
日付タイプ Created
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Ver.1 2023-06-19 12:58:50.118625
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