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  1. 50 工学研究科
  2. 5006 電気電子工学専攻
  3. 学術雑誌論文

Spectroscopic characterization of naturally and chemically oxidized silicon surfaces

http://hdl.handle.net/10087/2939
http://hdl.handle.net/10087/2939
4909819e-1f5e-4de3-b07e-b51d34b0944d
名前 / ファイル ライセンス アクション
JApplPhys_94_5613.pdf JApplPhys_94_5613.pdf (62.9 kB)
Item type 学術雑誌論文 / Journal Article(1)
公開日 2008-02-29
タイトル
タイトル Spectroscopic characterization of naturally and chemically oxidized silicon surfaces
言語
言語 eng
資源タイプ
資源タイプ識別子 http://purl.org/coar/resource_type/c_6501
資源タイプ journal article
著者 Tsunoda, Kazuaki

× Tsunoda, Kazuaki

8788

Tsunoda, Kazuaki

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Ohashi, Emiko

× Ohashi, Emiko

8789

Ohashi, Emiko

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Adachi, Sadao

× Adachi, Sadao

8790

Adachi, Sadao

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抄録
内容記述タイプ Abstract
内容記述 We have determined the thicknesses of naturally and chemically grown oxides on HF-cleaned\nsilicon surfaces in ambient air and in NH4OH/H2O2/H2O solution, respectively, using spectroscopic\nellipsometry. The naturally grown oxide thickness versus air-exposure time plots yield a rate\nconstant of 3.5+-0.5 Å/decade in ambient air. Chemical oxidation occurs immediately upon\nimmersing the sample in the chemical solution and leaves the sample surface terminated with ~6 Å\nof a chemical oxide. Photoreflectance intensity is found to be strongly dependent on such surface\nprocessing, and results are explained by the different degree of surface (interface) states.
書誌情報 Journal of Applied Physics

巻 94, 号 9, p. 5613-5616, 発行日 2003-11-01
ISSN
収録物識別子タイプ ISSN
収録物識別子 0021-8979
DOI
関連タイプ isIdenticalTo
識別子タイプ DOI
関連識別子 info:doi/10.1063/1.1613792
権利
権利情報 (C)2003 American Institute of Physics
フォーマット
内容記述タイプ Other
内容記述 application/pdf
著者版フラグ
出版タイプ VoR
出版タイプResource http://purl.org/coar/version/c_970fb48d4fbd8a85
出版者
出版者 American Institute of Physics
資源タイプ
内容記述タイプ Other
内容記述 Journal Article
異版である
関連タイプ isVersionOf
識別子タイプ URI
関連識別子 http://jap.aip.org/
更新日
日付 2017-03-27
日付タイプ Created
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Ver.1 2023-06-19 12:58:48.416015
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