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  1. 50 工学研究科
  2. 5006 電気電子工学専攻
  3. 学術雑誌論文

Ultraviolet emission from porous silicon photosynthesized in aqueous alkali fluoride solutions

http://hdl.handle.net/10087/2938
http://hdl.handle.net/10087/2938
2b5ea9e8-e7b8-4ce4-bcc6-c059834346fa
名前 / ファイル ライセンス アクション
JApplPhys_100_014301.pdf JApplPhys_100_014301.pdf (296.0 kB)
Item type 学術雑誌論文 / Journal Article(1)
公開日 2008-02-29
タイトル
タイトル Ultraviolet emission from porous silicon photosynthesized in aqueous alkali fluoride solutions
言語
言語 eng
資源タイプ
資源タイプ識別子 http://purl.org/coar/resource_type/c_6501
資源タイプ journal article
著者 Uchida, Kaoru

× Uchida, Kaoru

8806

Uchida, Kaoru

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Tomioka, Katsuhiro

× Tomioka, Katsuhiro

8807

Tomioka, Katsuhiro

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Adachi, Sadao

× Adachi, Sadao

8808

Adachi, Sadao

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抄録
内容記述タイプ Abstract
内容記述 Stable ultraviolet (UV) photoluminescence (PL) has been observed at room temperature in porous\nsilicon (PSi) fabricated by photoetching in aqueous alkali fluoride solutions. The aqueous solutions\nused are 1 M NaF and 1 M KF.They give an alkaline reaction caused by partial hydrolysis. The PL\npeaks at ~3.3 eV have a full width at half maximum of ~0.1 eV, which is much smaller than those\nreported previously (?0.5 eV). Spectral analyses suggest that both quantum confinement and\nsurface passivation effects enable the observation of UV emission in NaF- and KF-prepared PSi\nsamples.
書誌情報 Journal of Applied Physics

巻 100, 号 3, p. 0314301-1-0314301-5, 発行日 2006-07-01
ISSN
収録物識別子タイプ ISSN
収録物識別子 0021-8979
DOI
関連タイプ isIdenticalTo
識別子タイプ DOI
関連識別子 info:doi/10.1063/1.2208914
権利
権利情報 (C)2006 American Institute of Physics
フォーマット
内容記述タイプ Other
内容記述 application/pdf
著者版フラグ
出版タイプ VoR
出版タイプResource http://purl.org/coar/version/c_970fb48d4fbd8a85
出版者
出版者 American Institute of Physics
資源タイプ
内容記述タイプ Other
内容記述 Journal Article
異版である
関連タイプ isVersionOf
識別子タイプ URI
関連識別子 http://jap.aip.org/
更新日
日付 2017-03-27
日付タイプ Created
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Ver.1 2023-06-19 12:58:37.547243
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