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  1. 50 工学研究科
  2. 学位論文

DEVLOPMENT OF NOVEL FUNCTIONAL

http://hdl.handle.net/10087/5143
http://hdl.handle.net/10087/5143
7db2e89f-5b39-47ae-a8a0-da9f3d4306b3
名前 / ファイル ライセンス アクション
Ph.D_E1-393.singh Ph.D_E1-393.singh MK.pdf (8.9 MB)
Item type 学位論文 / Thesis or Dissertation(1)
公開日 2010-04-30
著者 MAYANK, KUMAR SINGH

× MAYANK, KUMAR SINGH

MAYANK, KUMAR SINGH

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タイトル
タイトル DEVLOPMENT OF NOVEL FUNCTIONAL
言語
言語 eng
キーワード
主題Scheme Other
主題 Tantalum pentoxide
キーワード
主題Scheme Other
主題 Erbium
キーワード
主題Scheme Other
主題 Photoluminescence
キーワード
主題Scheme Other
主題 Green light emission
資源タイプ
資源タイプ識別子 http://purl.org/coar/resource_type/c_46ec
資源タイプ thesis
著者(ヨミ)
姓名 マヤンク, クマル シング
抄録
内容記述タイプ Abstract
内容記述 Rare-earth doped thin films are drawing increasing attention for their use in amplifiers\nand lasers and their suitability for integrated optics. The optical properties of rareearth\nions in solids have been investigated widely and are well understood. Er3+-doped\nmaterials are attracting much attention because of the search for solid-state-laser\ndevices operating in the green region, optical devices for 3D displays and for\nwaveguides, which can work in telecommunication window.\nIn this dissertation we researched and fabricated different novel functional thin films\nfor photonics devices fabricated by RF-magnetron sputtering method as –\n Erbium-doped SiO2\n Tantalum pentoxide [Ta2O5]\n Erbium-doped Tantalum pentoxide [Er-TaOx]\n Erbium- Ytterbium co-doped Tantalum pentoxide\nWe fabricated different thin films using the RF-sputtering method and then annealed\nthem at various temperatures and time durations. PL peaks were observed at\nwavelengths of 550 and 670 nm from the Er-TaOx films. We observed the strongest\nintensities of the 550 and 670 nm peaks from the samples with 0.96 and 0.63 mol% Er\nconcentrations after annealing at 900° C for 20 min, respectively. To the best of our\nknowledge, this is the first report of light emission from Er-TaOx films fabricated by\nthe RF-sputtering method. These results demonstrate that Er-TaOx films fabricated by\nRF sputtering can serve as high quality luminescent layers.\nThese can easily be combined with other passive devices to realize novel active\ndevices (e.g., a green-light-emitting photonic crystal), as only sputtering and\nannealing processes are needed for fabrication.\nRecent reports of optical waveguides fabricated on Ta2O5, higher nonlinear\nsusceptibility χ3 of Ta2O5, and light emission from thin films makes Ta2O5 a\npromising material for novel photonic devices.
内容記述
内容記述タイプ Other
内容記述 学位記番号:工博甲393
書誌情報 p. XIX, 82p., 発行日 2010-03
フォーマット
内容記述タイプ Other
内容記述 application/pdf
著者版フラグ
出版タイプ AM
出版タイプResource http://purl.org/coar/version/c_ab4af688f83e57aa
出版者
出版者 群馬大学工学研究科
資源タイプ
内容記述タイプ Other
内容記述 Thesis or Dissertation
学位名
学位名 博士(工学)
学位授与機関
学位授与機関名 群馬大学
学位授与年月日
学位授与年月日 2010-03-24
学位授与番号
学位授与番号 12301甲第393号
更新日
2019-12-04
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Ver.1 2023-06-19 12:54:31.450519
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